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[发明专利]一种树脂工艺品打磨抛光工艺及其设备-CN200910043555.3无效
发明人：蒋倩 -专利权人：蒋倩
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种树脂工艺品打磨抛光工艺及其设备，属于工艺品加工领域，其设备是由动力、打磨抛光轴、机箱和柔性打磨抛光轮构成；其工艺是将待打磨抛光的树脂工艺品初坯挟持，浸入机箱内的打磨抛光液中，并让树脂工艺品初坯的待打磨抛光部位渐渐接近高速旋转的柔性打磨抛光轮的下部边缘，进行打磨抛光，且逐渐转动挟持的树脂工艺品初坯，让树脂工艺品初坯所有需要打磨抛光的部位都由柔性打磨抛光轮的下部边缘进行打磨抛光。本发明具有操作简便、生产效率高、且能提高产品质量、优化生产环境等特点，能用于各种树脂材料制作的工艺品的打磨抛光加工，也可用于其它材料制作的工艺品的打磨抛光加工。
一种树脂工艺品打磨抛光工艺及其设备

[发明专利]抛光机工艺参数调节方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310995157.1在审
发明人：朱亮;李阳健;石秋天;张涛 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种抛光机工艺参数调节方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：控制所述抛光机进行抛光，并获取所述抛光机内多个区域采集的温度数据和所述抛光机的工艺参数；将所述温度数据、所述工艺参数和待抛光物件的平整度参数输入至预先训练的抛光分析模型，得到目标工艺参数；将所述抛光机的工艺参数实时调整为目标工艺参数。采用本方法能够实现通过调整工艺参数对温度进行灵活控制，达到提高抛光品质的效果。
抛光机工艺参数调节方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种螺纹孔底部圆锥内壁的抛光工艺-CN202011069941.2在审
发明人：侯俊明 -专利权人：豪利机械（苏州）有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种螺纹孔底部圆锥内壁的抛光工艺，所述抛光工艺所需的抛光工具包括：铜制打磨头、螺纹保护环、砂纸和手枪钻；所述抛光工艺包括以下步骤：(1)清洁(2)准备抛光工具(2)抛光(2)检测(2)更换砂纸，重复步骤(2)至(4)直到达到预定抛光效果。本发明一种螺纹孔底部圆锥内壁的抛光工艺，其工艺简单、成本小，可在抛光时对螺纹孔的内螺纹进行保护，且对螺纹孔底部的圆锥内壁进行均匀的抛光。
一种螺纹底部圆锥内壁抛光工艺

[发明专利]一种改进型抛光垫调节器工艺-CN200710039196.5有效
发明人：王莉;赵铁军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种改进型抛光垫调节器工艺，涉及化学机械抛光工艺。采用现有的抛光垫调节器工艺无法有效清除抛光垫表面的抛光液结晶，且抛光垫的使用寿命较短。本发明的改进型抛光垫调节器工艺，先采用高压水或抛光液冲洗和修整抛光垫表面以去除抛光液结晶，然后在低压条件下执行主抛光工序。较佳地，在高压冲洗和修整步骤中，抛光垫调节器的初始位置距离抛光垫中心1.4～1.6英寸。采用本发明的抛光垫调节器工艺，可减少抛光垫凹槽中的抛光液残留物，避免在抛光过程中造成晶圆表面的微擦伤，还能大大延长抛光垫的使用寿命。
一种改进型抛光调节器工艺

[发明专利]用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法-CN201710713502.2有效
发明人：李弘恺;路新春;雒建斌;沈攀 -专利权人：清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法，该系统包括：数据获取模块，数据获取模块与抛光盘的电机驱动器相连，用于在化学机械抛光设备抛光晶圆的过程中，获取电机驱动器中的电机功率信号；终点判断模块，用于判断电机功率信号的变化是否满足抛光工艺终点的条件，并在判断出电机功率信号的变化满足抛光工艺终点的条件时，控制化学机械抛光设备停止抛光晶圆。该实施例提出一种基于电机功率信号确定化学机械抛光工艺终点的控制系统及方法，准确判断化学机械抛光工艺终点，控制晶圆抛光过程，避免过抛光或者欠抛光情况的发生，保证了抛光工艺质量。
化学机械抛光工艺电机功率信号控制系统抛光工艺化学机械抛光设备数据获取模块电机驱动器抛光晶圆终点检测晶圆抛光终点判断过抛光抛光盘抛光保证

[发明专利]抛光组件及其抛光工艺方法-CN201711343704.9在审
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人：苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光组件及其抛光工艺方法，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被抛光的问题而设计。涉及一种抛光组件，包括抛光件，抛光件的外侧面向外包覆有保护层。还涉及一种抛光工艺方法，包括上述的抛光组件。该抛光组件及其抛光工艺方法不会使抛光件的外侧面的尺寸发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
抛光件抛光组件抛光工艺抛光半导体技术领域抛光工艺过程形貌待加工件保护层抛光液外包覆外侧面游星轮内壁挤压

[发明专利]一种ED玻璃镜片抛光方法-CN201611112027.5在审
发明人：訾云旭;张保福;荀涛;訾云海;句红兵;李莉 -专利权人：云南汇恒光电技术有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ED(Extra‑low Dispersion超低色散)玻璃镜片抛光工艺，本发明将抛光工艺由常规的单次抛光改为两次抛光，先采用聚氨酯高效抛光片进行粗抛光，然后采用古典法柏油抛光模精抛光。两次抛光的优点在于粗抛光下尺寸,提高加工效率；精细抛光保证光洁度。提高产品品质。抛光工艺由常规的单次抛光改为两次抛光，虽使工艺复杂，并需增添一倍的抛光设备，貌似拙劣降低了效率，但因实现了“效率与品质”的统一，反而降低了生产成本。
一种 ed 玻璃镜片抛光方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法-CN202210454337.4在审
发明人：洪承哲;韩德洙;权璋国;朴韩址 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法。本发明涉及半导体工艺用抛光组合物以及使用抛光组合物的基板抛光方法，其能够提高掺硼多晶硅膜的抛光率，提高抛光选择比，防止抛光工艺中可产生的晶片缺陷，并改善晶片表面的粗糙度。此外，本发明涉及制造使用半导体工艺用抛光组合物来抛光的基板的方法。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制造方法

[发明专利]一种湿法抛光工艺-CN201710887578.7在审
发明人：缪彬彬 -专利权人：缪彬彬
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法抛光工艺，所述湿法抛光工艺包括将待抛光器件放置在抛光设备的工作平台上进行抛光处理；其中，抛光设备包括抛光磨头和喷淋管，抛光磨头的中部设置一通孔，喷淋管收容于通孔内，抛光处理时，抛光液通过喷淋管从抛光磨头中部喷出通过上述方式，本发明能够提高抛光工艺的效率。
一种湿法抛光工艺

[发明专利]一种抛光晶圆的方法-CN200910197627.X无效
发明人：曾明;李健;蒋昆坤;李勇;马擎天 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种抛光晶圆的方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面具有待抛光层；腐蚀晶圆边缘区域的待抛光层，使其厚度达到抛光的目标厚度；抛光待抛光层中未被腐蚀的部分，使其厚度达到抛光的目标厚度。本发明的优点在于，首先减薄待抛光层边缘区域至抛光工艺的目标厚度，再采用常规的抛光工艺抛光其余部分，由于抛光工艺对边缘的抛光能力弱于对中心区域的抛光能力，因此在采用常规抛光工艺抛光中心区的过程中，并不会对边缘区域造成影响经过上述结合减薄边缘区域和抛光工艺的方法之后，即能够获得具有均匀厚度的待抛光层，避免了边缘区域厚度与中心不一致的现象。
一种抛光方法

[发明专利]多孔化学机械抛光垫-CN202110277323.5在审
发明人： S·嘎纳帕西亚潘;N·B·帕蒂班德拉;R·巴贾杰;D·莱德菲尔德;F·C·雷德克;M·C·奥里拉尔;傅博诣;M·山村;A·乔卡里汉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本文揭示的实施方式总体上涉及抛光制品以及用于制造用于抛光工艺中的抛光制品的方法。更具体而言，本文揭示的实施方式涉及通过工艺产生的多孔抛光垫，所述工艺产出改良的抛光垫特性及性能，包括可调谐的性能。诸如三维打印工艺的增材制造工艺提供制成具有独特特性及属性的多孔抛光垫的能力。
多孔化学机械抛光

[发明专利]多孔化学机械抛光垫-CN201680082260.5有效
发明人： S·嘎纳帕西亚潘;N·B·帕蒂班德拉;R·巴贾杰;D·莱德菲尔德;F·C·雷德克;M·C·奥里拉尔;傅博诣;M·山村;A·乔卡里汉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本文揭示的实施方式总体上涉及抛光制品以及用于制造用于抛光工艺中的抛光制品的方法。更具体而言，本文揭示的实施方式涉及通过工艺产生的多孔抛光垫，所述工艺产出改良的抛光垫特性及性能，包括可调谐的性能。诸如三维打印工艺的增材制造工艺提供制成具有独特特性及属性的多孔抛光垫的能力。
多孔化学机械抛光

[发明专利]硅单晶片加工新工艺-CN201310742116.8无效
发明人：唐玉金;朱世法;杨雪林;李建霜;帅东清 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：硅单晶片加工新工艺，属于硅材料加工工艺，尤其是一种硅单晶片的加工工艺。本发明的硅单晶片加工新工艺，该工艺包括将硅单晶毛坯件进行粗磨，之后进行抛光和镀膜，其特征在于抛光工序包括丸片铣磨、高抛机抛光和低速抛光机抛光工序。采用本发明的抛光工艺，丸片铣磨的时间约为5-6min，在高速抛光机上抛光时间约为1-2h就可完工，采用本工艺加工，速度控制在每分钟1200转以上，至少缩短了原加工周期的50%，大大降低了抛光工序的人力成本
晶片加工新工艺

[发明专利]抛光装置及方法-CN201110030539.8无效
发明人：邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B24B21/10 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光装置，包括抛光头和研磨台，还包括：固结磨料抛光带，供给卷轴，拾取卷轴，第一导向部分，第二导向部分。本发明的抛光装置，操作简单，采用不同材质交替排列的FA抛光垫，通过卷轴带动抛光带实现了FA抛光垫的替换和更新，一条抛光带可用于不同批次的抛光工艺，适用于浅槽隔离结构STI，层间介质ILD，Cu，W，高K金属栅极(HKMG)等各种抛光工艺；增强了各种抛光工艺的稳定性，获得更高的WIW，WID，WTW的厚度均匀性，进一步降低工艺成本，提高工艺效率。
抛光装置方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制备方法-CN202210858730.X在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金圭勋;郑恩先;权璋国;李亨株 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和半导体器件的制备方法。提供一种包括胺类抛光率增强剂的半导体工艺用抛光组合物，所述半导体工艺用抛光组合物包括抛光颗粒，所述抛光颗粒包括所述胺类抛光率增强剂。所述半导体工艺用抛光组合物在所述抛光颗粒的表面周围还包括胺类表面改性剂，并且基于整体组合物，所述胺类抛光率增强剂中的胺基的含量和所述胺类表面改性剂中的胺基的含量的和为0.0185重量％以上。所述半导体工艺用抛光组合物在掺硼多晶硅层的抛光中可以实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制备方法

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